연구자 정보
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- 출신대학 : Georgia Tech
- 전공 : School of Electrical and Computer Engineering
- 연구분야 : 반도체 패키징, 이종집적
1분 요약
반도체 업계에서 세계최고권위를 가진 VLSI 심포지엄에서 SAIMEMORY·인텔·PSMC·AP Memory는 D램 8층과 로직층을 붙인 9층 3D 메모리를 공개했습니다. 3μm까지 얇아진 실리콘과 퓨전 본딩, Via-in-One TSV를 결합해 0.25Tb/s/mm²의 대역폭 밀도를 구현했는데요. 이 메모리의 이름은 ‘ZAM’으로, 언론은 ‘HBM 대항마’로 부릅니다. 그런데 여기서 가장 눈여겨볼 변화는 메모리를 어떻게 붙이느냐입니다. HBM의 대항마가 등장하든 아니면 업그레이드 된 HBM이 등장하든 무조건 ‘붙이는 과정’이 필요합니다. 즉 현재 ZAM에서 알 수 있는 것은 반도체 업계의 거대한 흐름이 ‘접합’으로 가고 있다는 사실입니다.
본문
Chapter 1. 나의 생각
‘HBM 대항마’라는데, 명단에 메모리 회사가 없다
지난 가을 저는 ‘SK하이닉스의 HBM이 삼성전자를 이긴 이유‘라는 리포트를 쓰면서 이렇게 정리했습니다.
‘하이닉스는 MR-MUF 공정으로 열 문제와 수율을 동시에 해결하며 엔비디아의 주력 공급사로 부상했다.’ MR-MUF는 쌓아 올린 칩 사이를 한 번에 채워 굳히는 하이닉스 고유…
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